MOSFET de potencia de canal N de 50 A, 60 V, TO-220AB
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SYSCOM PARTS
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Descripción
Los MOSFET de potencia de canal N se fabrican mediante el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características similares a los de los circuitos integrados LSI, ofrece una utilización óptima del silicio, lo que se traduce en un rendimiento excepcional. Se han diseñado para su uso en aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motores y controladores de relés. Estos transistores pueden funcionar directamente desde circuitos integrados.
Ficha técnica
Modelo
N4-50-N-06-72995
Stock
16
Referencia
50-N-06
Actualizado
2026-03-29 17:31:57
